Υψηλό επίπεδο προϊόντος πυριτίου νιτρίδιο

Μερικώς κρυσταλλωμένα μικροδομές μωσαϊκών πυριτίων που βρέθηκαν σενιτρίδιο πυριτίουταινίες που ετοιμάστηκαν από το LPCVD. Ανάλογα με τις συνθήκες και τη διαδικασία καλλιέργειας, η κλίμακα της δομής κυμαίνεται από δεκάδες έως εκατοντάδες νανομέτρων. Με βάση τα αποτελέσματα των δοκιμών στρες και τα αποτελέσματα παρατήρησης ηλεκτρονικής μικροσκοπίας μετάδοσης των ταινιών Sinx που καλλιεργήθηκαν υπό διαφορετικές συνθήκες, η γένεση της μικροδομής των πλούσιων σε πυρίτιο των ταινιών και της αλληλεπίδρασης τους με το άγχος στην ταινία αναλύθηκε και η περιοχή της Film. 40mm × 40mm. Με βάση τα αποτελέσματα αυτής της μελέτης, η ελεγχόμενη ανάπτυξη των μεμβρανών SINX με αποφασισμένη τάση εφελκυσμού πραγματοποιήθηκε με LPCVD.

1.Νιτρίδιο πυριτίουΟι λεπτές μεμβράνες (SIN _ x) παρασκευάστηκαν με τεχνολογία εναπόθεσης χημικών ατμών χαμηλής πίεσης (LPCVD) χρησιμοποιώντας σιλάνη και αμμωνία ως πηγές πυριτίου και αζώτου αντίστοιχα και αζώτου υψηλής καθαρότητας ως αέριο φορέα. Η κινητική ανάπτυξης της αμαρτίας _ x μελετήθηκε με ελλειψομετρία, οι ιδιότητες της φασματοσκοπίας της Sin {}} x παρατηρήθηκαν με μικροσκοπική φασματοσκοπία Fourier και φασματοσκοπία ακτίνων Χ και η μικροσκοπική μορφολογία του SIN {{5} x x. Υπό τις ίδιες συνθήκες άλλων διεργασιών, ο ρυθμός ανάπτυξης της ταινίας SIN _ x αυξάνεται μονοτονικά με την αύξηση της πίεσης λειτουργίας και ο λόγος (R) του ρυθμού ροής της αμμωνίας σε σιλάνη στο αέριο τροφοδοσίας έχει αντίθετη επίδραση στον ρυθμό ανάπτυξης της μεμβράνης. Καθώς αυξάνεται η θερμοκρασία της αντίδρασης, ο ρυθμός εναπόθεσης αυξάνεται σταδιακά, φθάνοντας σε μέγιστη θέση περίπου 840 μοιρών και στη συνέχεια μειώνοντας ταχέως. Όταν χρησιμοποιείται R2, λαμβάνεται ένα SI-πλούσιο σε SI SIN _ x λεπτό φιλμ (x1.33). Όταν χρησιμοποιείται R4, λαμβάνεται ένα sin _ x με σχεδόν-stoichiometric (z≈1.33).

Δημοφιλείς Ετικέτες: Υψηλό επίπεδο προϊόντος Silicon Nitride, Κίνα υψηλού επιπέδου κατασκευαστές νιτριδίου πυριτίου υψηλού επιπέδου, προμηθευτές, εργοστάσιο