Θεμελιώδη χαρακτηριστικά
1.1 Ατομική δομή και συγκόλληση
Τα κράματα πυριτίου-άνθρακα παρουσιάζουν τρεις διαμορφώσεις πρωταρχικής σύνδεσης:
Ομοιοπολικοί δεσμοί SI-C (κυρίαρχος σε SIC, μήκος δεσμού ~ 1,89 Α)
Μεταλλικοί δεσμοί Si-Si (σε πλούσιες σε πυριτίνα φάσεις)
SP2/SP³ υβριδοποιημένα ομόλογα CC (γραφιτικές/άμορφες περιοχές άνθρακα)
Η ηλεκτρονική δομή δείχνει:
SIC Bandgap: 2. 3-3.
Λειτουργία εργασίας: 4 5-5. 1 eV (για εφαρμογές ημιαγωγών)
1.2 Θερμοδυναμικές ιδιότητες
Key Thermodynamic Parameter:
| Ιδιοκτησία | Εύρος τιμών |
|---|---|
| Σημείο τήξης (sic) | 2730 βαθμοί (αποσυνθέσεις) |
| Ειδική θερμότητα (25 μοίρες) | 0.67-1.25 J/g·K |
| Θερμική αγωγιμότητα | 120-490 W/m·K |
| CTE (25-1000 βαθμός) | 4.0-5.6 × 10⁻⁶/K |
Σκέψεις διάγραμμα φάσης:
Το δυαδικό σύστημα SI-C δείχνει ευτηκτικό σε 1414 βαθμούς (πλούσια σε SI)
SiC stability range: >1700 βαθμούς σε τυπική πίεση


Προηγμένες τεχνικές κατασκευής
2.1 Μέθοδοι σύνθεσης υψηλής καθαρότητας
Acheson Process (Industrial SIC):
Αντίδραση: sio₂ + 3 c → -sic + 2 co (1900-2500 βαθμός)
Προϊόν: Hexagonal -SIC (6h, 4h Polytypes)
Έλεγχος ακαθαρσιών:<50 ppm metallic contaminants
Χημική εναπόθεση ατμών (ηλεκτρονικός βαθμός):
Πρόδρομοι: SIH₄ + C₃H₈ στο 1200-1600 βαθμό
Ρυθμός ανάπτυξης: 5-50 μm/hr
Πυκνότητα ελαττωμάτων:<10³ cm⁻² for epitaxial layers
2.2 προσεγγίσεις νανοδομής
Υλικά ανόδου πυρήνα SI@C:
Αρχιτεκτονική: 50-200 nm Si Cores με 5-20 nm Επικάλυψη άνθρακα
Capacity retention: >80% μετά από 500 κύκλους (έναντι 20% για το Bare Si)
Κατασκεύασμα:
RF ψεκασμό του SI
CVD άνθρακα ενθυλάκωση
Λειτουργία επιφάνειας πλάσματος
3D πορώδη ικριώματα:
Πορώδες: 60-80% (Μέγεθος πόρων 50-500 nm)
Ειδική επιφάνεια: 300-800 m²/g
Κατασκεύασμα:
Χάραξη με τη βοήθεια προτύπου
Χύτευση κατάψυξης
Επιλεκτική συσσώρευση λέιζερ
Δημοφιλείς Ετικέτες: Κράματα πυριτίου-άνθρακα: Τεχνική επισκόπηση και προηγμένες εφαρμογές, China Silicon-Carbon Caroys: Τεχνική επισκόπηση και προηγμένες κατασκευαστές εφαρμογών, προμηθευτές, εργοστάσιο

